由《半导体科技》杂志社与上海市集成电路行业协会联合举办的晶芯2008（ChipChina2008）系列会议的第二部分——“先进光刻技术研讨会”于2008年8月28日在上海成功举办，这次研讨会得到了ASML、罗门哈斯电子材料、中芯国际以及上海华虹NEC电子以及世芯电子等公司的大力支持，根据主办方的统计,出席次此研讨会的人员有100人，他们绝大多数是身处研发和技术等一线的经理和工程师，包括SMIC中芯国际、GSMC宏力、华虹NEC、HEJIAN和舰科技、ASMC先进、Intel、BEILING贝岭、Alchip世芯电子、芯原微电子、Oerlikon欧瑞康、Honeywell和新阳半导体等。
上海市集成电路行业协会副秘书长王龙兴先生主持了此次会议，他分析了目前国内光刻技术的现状，并指出了国内与国际水平的差距，不过他相信随着以中芯国际、华虹NEC、华润上华为首的一线代工厂光刻水平的快速提升，国内的光刻技术水平有望在未来取得更快的发展。《半导体科技》杂志社出版人麦协林先生在致辞中表示，虽然国际上对于未来采用何种先进光刻工艺还存在不同的争议，但是各方的合作却在不断加强，CHIP China先进光刻技术研讨会的举办，就是为了给各方提供沟通交流的平台。
研讨会的演讲由ASML设备应用经理伍强博士开篇，他表示，由于半导体制造线宽进入了65nm、45nm甚至是32nm，OPC(光学临场效应)变得越来越明显，65nm及以下，模型的误差变得越来越大，可制造性设计DFM(Design for Manufacturing)日益重要。在介绍了光刻模型、图形优化设计、线宽同电特性的关联模型、以及线宽同产品成品率的关联模型的最新进展情况之后，伍强认为，45nm、32nm世代，一次曝光的浸没式光刻技术与双重曝光的干法光刻技术将是可行的两种方案，目前业界对于采用哪种方案尚未形成定论，此外，他还花了部分时间介绍产业界寄予期望的最新尝试——隔离层（spacer）技术。
罗门哈斯电子材料(上海)有限公司沙岩博士在她的报告中指出了目前光刻胶面临的主要挑战与应用前景，并透露公司正在开发全新的248nm和193nm波长的材料，包括底部抗反射涂层（BARC）和顶端抗发射涂层（TARC）。她表示，193nm光刻胶估计仍会快速增长，248nm光刻胶的应用也会逐渐扩大。在分析了非离子注入式（Non-Implant）与离子注入式（Implant）两种不同方案的利弊后，她预计，随着离子注入式的光刻胶在90nm/65nm中的成功应用，未来45nm/32nm工艺中，离子注入式的光刻胶一定能克服CD(特征尺寸)以及其他难题的困扰，获得商用。
作为本土光刻工艺最为先进的半导体代工厂，中芯国际的举动一直为外界所关注，该公司微影成像技术处处长郭贵琦先生在他的演讲中就透露了中芯正在进行的“菱形布局”（华东上海、华北北京、华中武汉、华南深圳、华西成都以及将要进入的西北地区），除了市场布局外，郭贵琦先生表示，中芯今年将开始投产65nm工艺，今年中芯已经开始了投入大量人力物力进行45nm/40nm的研发，并有望在2009年3季度进入32nm工艺世代。根据他的介绍，目前中芯在光罩上拥有完整的光罩制作流程以及强大的生产能力，除了“自己自足”外，中心还可同时为国内其它晶圆厂做低成本的代工。
在目前业界普遍关注铜制程的今天，上海华虹NEC电子有限公司却依然继续着铝制程的研发，据了解，该公司的0.13微米工艺已经开始量产，该公司先进工艺部光刻工艺系统原理工程师王雷先生表示，与外界所认为的相反，0.13微米的铝制程工艺并不简单，这是国内在铝制程上取得的最大突破。要知道，以往光刻的对准精度的控制能力直接影响产品良率以及电路的版图设计，华虹NEC通过优化光刻工艺及包括其他模块工艺的整合制程，成功的解决了光刻对准不精度这一难题，华虹NEC还得以向110nm以下的后道互连工艺继续前进。
主题论坛部分结束后，会议进入了讨论互动的“晶芯论坛”，参与“晶芯论坛”的嘉宾除了前面提及的各位讲师外，主办方还邀请了设计企业的代表——世芯电子科技有限公司高级设计总监韦华放先生。此次讨论的话题涉及“先进光刻技术的最新进展,45纳米与32纳米光刻技术展望与实现”、“光刻工艺对集成电路设计相关性及良率的探讨”、“设计公司与晶圆厂、封装厂的合作问题”、“纳米级光刻技术探讨，对其工艺制程、设备及材料发展状况的评估”，通过台上台下的积极互动，研讨会逐步进入高潮。
为了表彰各位嘉宾的辛勤劳动以及无私奉献，主办方办法了“讲师荣誉”奖杯，感谢他们对于研讨会的奉献与支持。
《半导体科技》杂志社出版人麦协林先生表示，“此次的研讨会的成功举办让我们对于下一届会议充满信心，我们期待以更加精彩的内容为大家呈现一个沟通交流的平台，为产业的发展做出自己的贡献。预祝明年的会议举办成功。”
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